| Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz |  +увеличить | | | Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz eXceleram (E30170A) DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC, нет, 120 месяцев | | | |
| Гарантия
120 мес. | Нет на складе | |
|
|
|
|
| Производитель | eXceleram
| | Модель | SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz
| | Артикул | E30170A
| | Тип памяти | DDR3
| | Объем памяти | 4 ГБ
| | Количество модулей в наборе | 1
| | Стандарты памяти | PC3-12800
| | Частота памяти | 1600 МГц
| | Тайминги | CL11
| | Напряжение питания | 1.5 В
| | Форм-фактор памяти | 204-pin SO-DIMM
| | Проверка и коррекция ошибок (ECC) | non-ECC
| | Буферизация | unbuffered
| | Охлаждение | нет
| | Гарантия | 120 месяцев
| | (Сборка) Потребляемая мощность | 5 Вт
| | Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
| | Страна производства | Тайвань
| | Гарантия, мес | 120
|
Память SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz eXceleram (E30170A) поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
Модули памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz eXceleram (E30170A) созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании eXceleram, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2. |
|
Главная